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DTD123ECT116 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTD123ECT116
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTD123ECT116
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SOT-23 T116 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 447300

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Spezifikation

DTD123ECT116 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTD123ECT116 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTD123ECT116

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SST3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 200 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 39 @ 50mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer DTD123  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTD123ECT116.

Produkteigenschaften DTD123ECT116 DTD123EKT146 DTD114GKT146 DTD114EKT146
Artikelnummer DTD123ECT116 DTD123EKT146 DTD114GKT146 DTD114EKT146
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms 2.2 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA (ICBO) 500nA
Supplier Device-Gehäuse SST3 SMT3 SMT3 SMT3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 500 mA 500 mA 500 mA
Grundproduktnummer DTD123 DTD123 DTD114 DTD114
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 2.2 kOhms - 10 kOhms
Leistung - max 200 mW 200 mW 200 mW 200 mW
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Serie - - - -
Frequenz - Übergang 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 39 @ 50mA, 5V 39 @ 50mA, 5V 56 @ 50mA, 5V 56 @ 50mA, 5V

DTD123ECT116 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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