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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTD123EKT146
Rohm Semiconductor
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DTD123EKT146 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTD123EKT146
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTD123EKT146
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SMT3 T146 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 324890

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Anzahl

Spezifikation

DTD123EKT146 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTD123EKT146 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTD123EKT146

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 200 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 39 @ 50mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer DTD123  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTD123EKT146.

Produkteigenschaften DTD123EKT146 DTD123TKT146 DTD114GKT146 DTD123YKT146
Artikelnummer DTD123EKT146 DTD123TKT146 DTD114GKT146 DTD123YKT146
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA (ICBO) 500nA (ICBO) 500nA
Supplier Device-Gehäuse SMT3 SMT3 SMT3 SMT3
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 2.2 kOhms - 2.2 kOhms
Frequenz - Übergang 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms - 10 kOhms 10 kOhms
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA
Grundproduktnummer DTD123 DTD123 DTD114 DTD123
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 500 mA 500 mA 500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 40 V 50 V 50 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 200 mW 200 mW 200 mW 200 mW
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 39 @ 50mA, 5V 100 @ 50mA, 5V 56 @ 50mA, 5V 56 @ 50mA, 5V

DTD123EKT146 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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