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EMD22T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EMD22T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EMD22T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EMD22T2R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 364790

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Anzahl

Spezifikation

EMD22T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMD22T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMD22T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 2.5mA  
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer EMD22  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EMD22T2R.

Produkteigenschaften EMD22T2R EMD2FHAT2R EMD29T2R EMD22 G T2R
Artikelnummer EMD22T2R EMD2FHAT2R EMD29T2R EMD22 G T2R
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 2.5mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA, 500mA -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V 56 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms 22kOhms 10kOhms -
Supplier Device-Gehäuse EMT6 EMT6 EMT6 -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V - 50V, 12V -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA - 500nA -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Leistung - max 150mW 150mW 120mW -
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz 250MHz, 260MHz -
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) -
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms 22kOhms 1kOhms, 10kOhms -
Serie - Automotive, AEC-Q101 - -
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Grundproduktnummer EMD22 EMD2FHAT2 EMD29 -

EMD22T2R Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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