Spezifikation
EMD29T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMD29T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMD29T2R
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
LAPIS Technology |
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| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
50V, 12V |
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| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
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| Transistor-Typ |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
EMT6 |
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| Serie |
- |
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| Widerstand - Emitterbasis (R2) |
10kOhms |
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| Widerstand - Basis (R1) |
1kOhms, 10kOhms |
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| Leistung - max |
120mW |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Verpackung / Gehäuse |
SOT-563, SOT-666 |
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| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Frequenz - Übergang |
250MHz, 260MHz |
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| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE |
30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
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| Strom - Collector Cutoff (Max) |
500nA |
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| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
100mA, 500mA |
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| Grundproduktnummer |
EMD29 |
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Lieferung
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
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EMD25N10FEMC
EMD29GT2RLAPIS Technology