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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedEMD2T2R
EMD2T2R Image
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EMD2T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EMD2T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EMD2T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EMD2T2R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 275910

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Anzahl

Spezifikation

EMD2T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMD2T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMD2T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 22kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer EMD2T2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EMD2T2R.

Produkteigenschaften EMD2T2R EMD38T2R EMD30T2R EMD29T2R
Artikelnummer EMD2T2R EMD38T2R EMD30T2R EMD29T2R
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz 260MHz 250MHz, 260MHz
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22kOhms 47kOhms, 10kOhms 10kOhms 10kOhms
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Serie - - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA / 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Widerstand - Basis (R1) 22kOhms 1kOhms 10kOhms, 1kOhms 1kOhms, 10kOhms
Grundproduktnummer EMD2T2 EMD38 EMD30 EMD29
Supplier Device-Gehäuse EMT6 EMT6 EMT6 EMT6
Leistung - max 150mW 150mW 150mW 120mW
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 5mA, 5V 68 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V, 30V 50V, 12V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 200mA 100mA, 500mA

EMD2T2R Datenblatt PDF

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Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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