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EMD9T2R Image
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EMD9T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EMD9T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EMD9T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EMD9T2R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 299350

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Anzahl

Spezifikation

EMD9T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMD9T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMD9T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer EMD9T2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EMD9T2R.

Produkteigenschaften EMD9T2R EMD6T2R EMD9 FS2T2R EMDC-13-2TR
Artikelnummer EMD9T2R EMD6T2R EMD9 FS2T2R EMDC-13-2TR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology MACOM Technology Solutions
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz - -
Grundproduktnummer EMD9T2 EMD6T2 - EMDC-13
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V - -
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms 4.7kOhms - -
Leistung - max 150mW 150mW - 250mW
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA - -
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 - SM-22
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V - -
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse EMT6 EMT6 - SM-22
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -

EMD9T2R Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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EMD9T2R

Rohm Semiconductor
32D-EMD9T2R

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