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EMD6T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EMD6T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EMD6T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EMD6T2R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 254750

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Anzahl

Spezifikation

EMD6T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMD6T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMD6T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) -  
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer EMD6T2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EMD6T2R.

Produkteigenschaften EMD6T2R EMD53T2R EMD62T2R EMD5T2R
Artikelnummer EMD6T2R EMD53T2R EMD62T2R EMD5T2R
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Widerstand - Emitterbasis (R2) - 10kOhms 47kOhms 47kOhms, 10kOhms
Serie - - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz 250MHz 250MHz
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 150mW 150mW 150mW 150mW
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms 10kOhms 47kOhms 47kOhms, 4.7kOhms
Grundproduktnummer EMD6T2 EMD53 EMD62 EMD5T2
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device-Gehäuse EMT6 EMT6 EMT6 EMT6
Strom - Collector Cutoff (Max) - 500nA 500nA 500nA
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V 35 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V

EMD6T2R Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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