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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedEMG2T2R
Rohm Semiconductor
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EMG2T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EMG2T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EMG2T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Datenblatt
EMG2T2R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 380600

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Anzahl

Spezifikation

EMG2T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMG2T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMG2T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse EMT5  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD (5 Leads), Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer EMG2T2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EMG2T2R.

Produkteigenschaften EMG2T2R EMG1T2R EMG2DXV5T1G EMG8T2R
Artikelnummer EMG2T2R EMG1T2R EMG2DXV5T1G EMG8T2R
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor
Supplier Device-Gehäuse EMT5 EMT5 SOT-553 EMT5
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms 22kOhms 47kOhms 4.7kOhms
Grundproduktnummer EMG2T2 EMG1T2 EMG2DX EMG8T2
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms 22kOhms 47kOhms 47kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz - 250MHz
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 6-SMD (5 Leads), Flat Lead SOT-553 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Leistung - max 150mW 150mW 230mW 150mW
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V 56 @ 5mA, 5V 80 @ 5mA, 10V 80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V

EMG2T2R Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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