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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedEMG4T2R
Rohm Semiconductor
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EMG4T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EMG4T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EMG4T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Verpackung
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Datenblatt
EMG4T2R.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 384310

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Spezifikation

EMG4T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMG4T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMG4T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA  
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse EMT5  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) -  
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD (5 Leads), Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer EMG4T2  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EMG4T2R.

Produkteigenschaften EMG4T2R EMG2T2R EMG2DXV5T1G EMG9T2R
Artikelnummer EMG4T2R EMG2T2R EMG2DXV5T1G EMG9T2R
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor
Supplier Device-Gehäuse EMT5 EMT5 SOT-553 EMT5
Widerstand - Emitterbasis (R2) - 47kOhms 47kOhms 10kOhms
Verpackung / Gehäuse 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 6-SMD (5 Leads), Flat Lead SOT-553 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V 68 @ 5mA, 5V 80 @ 5mA, 10V 30 @ 5mA, 5V
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz - 250MHz
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms 47kOhms 47kOhms 10kOhms
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Strom - Collector Cutoff (Max) - 500nA 500nA 500nA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Grundproduktnummer EMG4T2 EMG2T2 EMG2DX EMG9T2
Serie - - - -
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Leistung - max 150mW 150mW 230mW 150mW
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

EMG4T2R Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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