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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedIMB10AT110
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IMB10AT110 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
IMB10AT110
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-IMB10AT110
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-74, SOT-457
Datenblatt
SMT6 T110 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 246750

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Anzahl

Spezifikation

IMB10AT110 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - IMB10AT110 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - IMB10AT110

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2kOhms  
Leistung - max 300mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer IMB10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor IMB10AT110.

Produkteigenschaften IMB10AT110 IMB2AT110 IMB4AT110 IMB11AT110
Artikelnummer IMB10AT110 IMB2AT110 IMB4AT110 IMB11AT110
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Widerstand - Basis (R1) 2.2kOhms 47kOhms 10kOhms 10kOhms
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse SMT6 SMT6 SMT6 SMT6
Grundproduktnummer IMB10 IMB2 IMB4 IMB11
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V 68 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 30 @ 5mA, 5V
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz 250MHz 250MHz
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms 47kOhms - 10kOhms
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Leistung - max 300mW 300mW 300mW 300mW
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA - 500nA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457

IMB10AT110 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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