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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedIMB2AT110
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IMB2AT110 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
IMB2AT110
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-IMB2AT110
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-74, SOT-457
Datenblatt
SMT6 T110 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 366810

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Anzahl

Spezifikation

IMB2AT110 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - IMB2AT110 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - IMB2AT110

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms  
Leistung - max 300mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer IMB2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor IMB2AT110.

Produkteigenschaften IMB2AT110 IMB11AT110 IMB7AT108 IMB9AT110
Artikelnummer IMB2AT110 IMB11AT110 IMB7AT108 IMB9AT110
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Grundproduktnummer IMB2 IMB11 IMB7 IMB9
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA - 500nA
Leistung - max 300mW 300mW 300mW 300mW
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz - 250MHz
Serie - - - -
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms 10kOhms 4.7kOhms 10kOhms
Supplier Device-Gehäuse SMT6 SMT6 SOT-457 SMT6
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 68 @ 5mA, 5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms 10kOhms - 47kOhms
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SOT-457 SC-74, SOT-457

IMB2AT110 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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