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IMH1AT110 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
IMH1AT110
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-IMH1AT110
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-74, SOT-457
Datenblatt
SMT6 T110 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 336220

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Anzahl

Spezifikation

IMH1AT110 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - IMH1AT110 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - IMH1AT110

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 22kOhms  
Leistung - max 300mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer IMH1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor IMH1AT110.

Produkteigenschaften IMH1AT110 IMH11AT110 IMH21T110 IMH2AT110
Artikelnummer IMH1AT110 IMH11AT110 IMH21T110 IMH2AT110
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 20V 50V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 600mA 100mA
Widerstand - Basis (R1) 22kOhms 10kOhms 10kOhms 47kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22kOhms 10kOhms - 47kOhms
Grundproduktnummer IMH1 IMH11 IMH21 IMH2
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V 820 @ 50mA, 5V 68 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA (ICBO) 500nA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 150mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device-Gehäuse SMT6 SMT6 SMT6 SMT6
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Leistung - max 300mW 300mW 300mW 300mW
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz 150MHz 250MHz

IMH1AT110 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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