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IMH23T110 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
IMH23T110
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-IMH23T110
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-74, SOT-457
Datenblatt
SMT6 T110 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 277200

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Anzahl

Spezifikation

IMH23T110 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - IMH23T110 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - IMH23T110

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 2.5mA, 50mA  
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) -  
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms  
Leistung - max 300mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 150MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 820 @ 50mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600mA  
Grundproduktnummer IMH23  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor IMH23T110.

Produkteigenschaften IMH23T110 IMH4AT110 IMH2AT110 IMH3AT110
Artikelnummer IMH23T110 IMH4AT110 IMH2AT110 IMH3AT110
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms 10kOhms 47kOhms 4.7kOhms
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA
Leistung - max 300mW 300mW 300mW 300mW
Serie - - - -
Grundproduktnummer IMH23 IMH4 IMH2 IMH3
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600mA 100mA 100mA 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) - 500nA (ICBO) 500nA 500nA (ICBO)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20V 50V 50V 50V
Frequenz - Übergang 150MHz 250MHz 250MHz 250MHz
Supplier Device-Gehäuse SMT6 SMT6 SMT6 SMT6
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 820 @ 50mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 68 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V
Widerstand - Emitterbasis (R2) - - 47kOhms -

IMH23T110 Datenblatt PDF

Laden Sie IMH23T110 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für IMH23T110 - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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