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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelQS5U21TR
Rohm Semiconductor
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QS5U21TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
QS5U21TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-QS5U21TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Datenblatt
QS5U21TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 101390

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Anzahl

Spezifikation

QS5U21TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - QS5U21TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - QS5U21TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT5  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Ta)  
Grundproduktnummer QS5U21  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor QS5U21TR.

Produkteigenschaften QS5U21TR QS5U16TR QS5U33TR QS5U27TR
Artikelnummer QS5U21TR QS5U16TR QS5U33TR QS5U27TR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 1.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2V @ 1mA
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.5A, 4.5V 100mOhm @ 2A, 4.5V 135mOhm @ 2A, 10V 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±12V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4V, 10V 2.5V, 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Ta) 2A (Ta) 2A (Ta) 1.5A (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 30 V 20 V
Grundproduktnummer QS5U21 QS5U16 QS5U33 QS5U27
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2 nC @ 4.5 V 3.9 nC @ 4.5 V 3.4 nC @ 5 V 4.2 nC @ 4.5 V
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 10 V 175 pF @ 10 V 310 pF @ 10 V 325 pF @ 10 V
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta) 900mW (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse TSMT5 TSMT5 TSMT5 TSMT5

QS5U21TR Datenblatt PDF

Laden Sie QS5U21TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für QS5U21TR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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