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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelQS5U28TR
Rohm Semiconductor
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QS5U28TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
QS5U28TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-QS5U28TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Datenblatt
QS5U28TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 135960

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Anzahl

Spezifikation

QS5U28TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - QS5U28TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - QS5U28TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT5  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta)  
Grundproduktnummer QS5U28  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor QS5U28TR.

Produkteigenschaften QS5U28TR QS5U34TR QS5U21TR QS5U27TR
Artikelnummer QS5U28TR QS5U34TR QS5U21TR QS5U27TR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Supplier Device-Gehäuse TSMT5 TSMT5 TSMT5 TSMT5
Verpackung / Gehäuse SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 10 V 110 pF @ 10 V 325 pF @ 10 V 325 pF @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 200mOhm @ 1.5A, 4.5V 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (Max) ±12V 10V ±12V ±12V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8 nC @ 4.5 V 2.5 nC @ 4.5 V 4.2 nC @ 4.5 V 4.2 nC @ 4.5 V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 1.3V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta) 1.5A (Ta) 1.5A (Ta) 1.5A (Ta)
Grundproduktnummer QS5U28 QS5U34 QS5U21 QS5U27
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)

QS5U28TR Datenblatt PDF

Laden Sie QS5U28TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für QS5U28TR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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