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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelQST7TR
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

QST7TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
QST7TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-QST7TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 30V 1.5A TSMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
QST7TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 125150

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Anzahl

Spezifikation

QST7TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - QST7TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - QST7TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 370mV @ 50mA, 1A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TSMT6 (SC-95)  
Serie -  
Leistung - max 500 mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 280MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 100mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1.5 A  
Grundproduktnummer QST7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor QST7TR.

Produkteigenschaften QST7TR QST2TR QST4TR PBHV3160ZX
Artikelnummer QST7TR QST2TR QST4TR PBHV3160ZX
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Nexperia USA Inc.
Supplier Device-Gehäuse TSMT6 (SC-95) TSMT6 (SC-95) TSMT6 (SC-95) SOT-223
Serie - - - Automotive, AEC-Q100
Leistung - max 500 mW 1.25 W 1.25 W 650 mW
Frequenz - Übergang 280MHz 250MHz 280MHz 38MHz
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer QST7 QST2 QST PBHV3160
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 100mA, 2V 270 @ 500mA, 2V 270 @ 500mA, 2V 70 @ 10mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 370mV @ 50mA, 1A 250mV @ 60mA, 3A 250mV @ 30mA, 1.5A 250mV @ 6mA, 30mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1.5 A 6 A 3 A 100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V 12 V 12 V 600 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TO-261-4, TO-261AA
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

QST7TR Datenblatt PDF

Laden Sie QST7TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für QST7TR - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Design/Spezifikation
TSMT Package Updates 24/Dec/2014.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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