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Rohm Semiconductor
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QST9TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
QST9TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-QST9TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2PNP 30V 1A 6TSMT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
QST9TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 133630

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Anzahl

Spezifikation

QST9TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - QST9TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - QST9TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 25mA, 500mA  
Transistor-Typ 2 PNP (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT6 (SC-95)  
Serie -  
Leistung - max 1.25W  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 320MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 100mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1A  
Grundproduktnummer QST9  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor QST9TR.

Produkteigenschaften QST9TR QST8TR FMB5551 QST5/TR
Artikelnummer QST9TR QST8TR FMB5551 QST5/TR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Fairchild Semiconductor LAPIS Technology
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1A 1.5A 600mA -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Supplier Device-Gehäuse TSMT6 (SC-95) TSMT6 (SC-95) SuperSOT™-6 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk -
Transistor-Typ 2 PNP (Dual) 2 PNP (Dual) 2 NPN (Dual) -
Frequenz - Übergang 320MHz 400MHz 300MHz -
Leistung - max 1.25W 1.25W 700mW -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 25mA, 500mA 200mV @ 25mA, 500mA 200mV @ 5mA, 50mA -
Grundproduktnummer QST9 QST8 FMB55 -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30V 12V 160V -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 100mA, 2V 270 @ 200mA, 2V 80 @ 10mA, 5V -
Serie - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 50nA (ICBO) -

QST9TR Datenblatt PDF

Laden Sie QST9TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für QST9TR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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