Spezifikation
RCJ450N20TL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RCJ450N20TL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RCJ450N20TL
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
LAPIS Technology |
|
| VGS (th) (Max) @ Id |
5V @ 1mA |
|
| Vgs (Max) |
±30V |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
|
| Supplier Device-Gehäuse |
LPTS |
|
| Serie |
- |
|
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
55mOhm @ 22.5A, 10V |
|
| Verlustleistung (max) |
1.56W (Ta), 40W (Tc) |
|
| Verpackung / Gehäuse |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
|
| Paket |
Tape & Reel (TR) |
|
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
|
| Befestigungsart |
Surface Mount |
|
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
4200 pF @ 25 V |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
80 nC @ 10 V |
|
| Typ FET |
N-Channel |
|
| FET-Merkmal |
- |
|
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
|
| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
200 V |
|
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
45A (Tc) |
|
| Grundproduktnummer |
RCJ450 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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Versandart
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
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IXFK20N80QIXYSMOSFET N-CH 800V 20A TO264AA
IRF7832TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 20A 8SO
IRF3205ZSTRLVishay SiliconixMOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IRLR3715ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 49A DPAK