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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR3715ZPBF
IRLR3715ZPBF Image
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IRLR3715ZPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR3715ZPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR3715ZPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR3715ZPBF.pdf
vorrätig: 4210

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Anzahl

Spezifikation

IRLR3715ZPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR3715ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR3715ZPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR3715ZPBF.

Produkteigenschaften IRLR3715ZPBF IRLR3715ZTR IRLR3717TRPBF IRLR3715Z
Artikelnummer IRLR3715ZPBF IRLR3715ZTR IRLR3717TRPBF IRLR3715Z
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49A (Tc) 49A (Tc) 120A (Tc) 49A (Tc)
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 40W (Tc) 89W (Tc) 40W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 15A, 10V 11mOhm @ 15A, 10V 4mOhm @ 15A, 10V 11mOhm @ 15A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 31 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 10 V 810 pF @ 10 V 2830 pF @ 10 V 810 pF @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA 2.55V @ 250µA 2.45V @ 250µA 2.55V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V

IRLR3715ZPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR3715ZPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR3715ZPBF - Infineon Technologies herunter.

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Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 15/May/2016.pdf Mult Device EOL 11/May/2016.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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