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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRCX450N20
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RCX450N20 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RCX450N20
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RCX450N20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 45A TO220FM
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
RCX450N20.pdf
RoHS Status
vorrätig: 29800

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Anzahl

Spezifikation

RCX450N20 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RCX450N20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RCX450N20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FM  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 22.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.23W (Ta), 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45A (Tc)  
Grundproduktnummer RCX450  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RCX450N20.

Produkteigenschaften RCX450N20 IPU60R600C6 FDS5680 RCX300N20
Artikelnummer RCX450N20 IPU60R600C6 FDS5680 RCX300N20
Hersteller Rohm Semiconductor Infineon Technologies onsemi Rohm Semiconductor
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 2.23W (Ta), 40W (Tc) 63W (Tc) 2.5W (Ta) 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 600 V 60 V 200 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220FM PG-TO251-3 8-SOIC TO-220FM
Serie - CoolMOS™ PowerTrench® -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 22.5A, 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V 20mOhm @ 8A, 10V 80mOhm @ 15A, 10V
Grundproduktnummer RCX450 - FDS56 RCX300
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 3.5V @ 200µA 4V @ 250µA 5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 6V, 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 20.5 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 Full Pack
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V 440 pF @ 100 V 1850 pF @ 15 V 3200 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45A (Tc) 7.3A (Tc) 8A (Ta) 30A (Tc)

RCX450N20 Datenblatt PDF

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Asien Indien 4
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