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RCX300N20 Image
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RCX300N20 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RCX300N20
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RCX300N20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 30A TO220FM
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
RCX300N20.pdf
RoHS Status
vorrätig: 48430

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Anzahl

Spezifikation

RCX300N20 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RCX300N20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RCX300N20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FM  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.23W (Ta), 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer RCX300  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RCX300N20.

Produkteigenschaften RCX300N20 SI2334DS-T1-GE3 FDPF18N20FT DMT3008LFDF-7
Artikelnummer RCX300N20 SI2334DS-T1-GE3 FDPF18N20FT DMT3008LFDF-7
Hersteller Rohm Semiconductor Vishay Siliconix onsemi Diodes Incorporated
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 15A, 10V 44mOhm @ 4.2A, 4.5V 140mOhm @ 9A, 10V 10mOhm @ 9A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 25 V 634 pF @ 15 V 1180 pF @ 25 V 886 pF @ 15 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 1V @ 250µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer RCX300 SI2334 FDPF18 DMT3008
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±8V ±30V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Serie - TrenchFET® UniFET™ -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 26 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220FM SOT-23-3 (TO-236) TO-220F-3 U-DFN2020-6 (Type F)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 2.5V, 4.5V 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 4.9A (Tc) 18A (Tc) 12A (Ta)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 30 V 200 V 30 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3 Full Pack 6-UDFN Exposed Pad
Verlustleistung (max) 2.23W (Ta), 40W (Tc) 1.3W (Ta), 1.7W (Tc) 41W (Tc) 800mW (Ta)

RCX300N20 Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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