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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRD3L08BGNTL
RD3L08BGNTL Image
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RD3L08BGNTL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RD3L08BGNTL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RD3L08BGNTL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 80A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
RD3L08BGNTL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 37343

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Anzahl

Spezifikation

RD3L08BGNTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RD3L08BGNTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RD3L08BGNTL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 119W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3620 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer RD3L08  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RD3L08BGNTL.

Produkteigenschaften RD3L08BGNTL RD3L140SPTL1 RD3G500GNTL RD3P200SNTL1
Artikelnummer RD3L08BGNTL RD3L140SPTL1 RD3G500GNTL RD3P200SNTL1
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer RD3L08 RD3L140 RD3G500 RD3P200
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 40 V 100 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 80A, 10V 84mOhm @ 14A, 10V 4.9mOhm @ 50A, 10V 46mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-252 TO-252 TO-252 TO-252
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3620 pF @ 30 V 1900 pF @ 10 V 22800 pF @ 20 V 2100 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 119W (Tc) 20W (Tc) 35W (Tc) 20W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 14A (Ta) 50A (Tc) 20A (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA 3V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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