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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRD3L140SPTL1
RD3L140SPTL1 Image
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RD3L140SPTL1 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RD3L140SPTL1
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RD3L140SPTL1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
RD3L140SPTL1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 39830

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Spezifikation

RD3L140SPTL1 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RD3L140SPTL1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RD3L140SPTL1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 20W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta)  
Grundproduktnummer RD3L140  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RD3L140SPTL1.

Produkteigenschaften RD3L140SPTL1 RD3U080CNTL1 RD3G500GNTL RD3P200SNTL1
Artikelnummer RD3L140SPTL1 RD3U080CNTL1 RD3G500GNTL RD3P200SNTL1
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 10V 4.5V, 10V 4V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-252 TO-252 TO-252 TO-252
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer RD3L140 RD3U080 RD3G500 RD3P200
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta) 8A (Tc) 50A (Tc) 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 14A, 10V 300mOhm @ 4A, 10V 4.9mOhm @ 50A, 10V 46mOhm @ 20A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 250 V 40 V 100 V
Verlustleistung (max) 20W (Tc) 85W (Tc) 35W (Tc) 20W (Tc)
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V 1440 pF @ 25 V 22800 pF @ 20 V 2100 pF @ 25 V

RD3L140SPTL1 Datenblatt PDF

Laden Sie RD3L140SPTL1 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RD3L140SPTL1 - Rohm Semiconductor herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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