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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRDN100N20
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

RDN100N20 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RDN100N20
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RDN100N20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
RDN100N20.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4060

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Anzahl

Spezifikation

RDN100N20 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RDN100N20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RDN100N20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FN  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 543 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta)  
Grundproduktnummer RDN100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RDN100N20.

Produkteigenschaften RDN100N20 FQPF4N80 IXTP120N04T2 IRFP4228PBF
Artikelnummer RDN100N20 FQPF4N80 IXTP120N04T2 IRFP4228PBF
Hersteller Rohm Semiconductor onsemi IXYS Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 543 pF @ 10 V 880 pF @ 25 V 3240 pF @ 25 V 4530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Supplier Device-Gehäuse TO-220FN TO-220F-3 TO-220-3 TO-247AC
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Bulk Tube Tube Bag
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta) 2.2A (Tc) 120A (Tc) 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V 3.6Ohm @ 1.1A, 10V 6.1mOhm @ 25A, 10V 15.5mOhm @ 33A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer RDN100 FQPF4 IXTP120 -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-247-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 800 V 40 V 150 V
Verlustleistung (max) 35W (Tc) 43W (Tc) 200W (Tc) 310W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie - QFET® TrenchT2™ HEXFET®

RDN100N20 Datenblatt PDF

Laden Sie RDN100N20 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RDN100N20 - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL_Transistor_7207_26/Jun/2014.pdf
Datenblätter
RDN100N20.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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