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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOTF7N60FD
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen
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AOTF7N60FD - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOTF7N60FD
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOTF7N60FD
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3F
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
TO220F Pkg Drawing.pdf
AOTF7N60FD.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 48330

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Spezifikation

AOTF7N60FD Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF7N60FD Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF7N60FD

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.45Ohm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 39W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 995 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  
Grundproduktnummer AOTF7  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF7N60FD.

Produkteigenschaften AOTF7N60FD AOTF7N70 AOTF5N50FD AOTF600A60L
Artikelnummer AOTF7N60FD AOTF7N70 AOTF5N50FD AOTF600A60L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - - - aMOS5™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 700 V 500 V 600 V
Verlustleistung (max) 39W (Tc) 38.5W (Tc) 35W (Tc) 27.5W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 11.5 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) 7A (Tc) 5A (Tc) 8A (Tj)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer AOTF7 AOTF7 AOTF5 AOTF600
VGS (th) (Max) @ Id 4.2V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.2V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 995 pF @ 25 V 1175 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 608 pF @ 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.45Ohm @ 3.5A, 10V 1.8Ohm @ 3.5A, 10V 1.8Ohm @ 2.5A, 10V 600mOhm @ 2.1A, 10V

AOTF7N60FD Datenblatt PDF

Laden Sie AOTF7N60FD PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOTF7N60FD - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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TO220F Pkg Drawing.pdf AOTF7N60FD.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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