Spezifikation
RDR005N25TL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RDR005N25TL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RDR005N25TL
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
LAPIS Technology |
|
| VGS (th) (Max) @ Id |
3V @ 1mA |
|
| Vgs (Max) |
±20V |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
TSMT3 |
|
| Serie |
- |
|
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
8.8Ohm @ 250mA, 10V |
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| Verlustleistung (max) |
540mW (Ta) |
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| Verpackung / Gehäuse |
SC-96 |
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| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
|
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
70 pF @ 25 V |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
3.5 nC @ 10 V |
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| Typ FET |
N-Channel |
|
| FET-Merkmal |
- |
|
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
4V, 10V |
|
| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
250 V |
|
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
500mA (Ta) |
|
| Grundproduktnummer |
RDR005 |
|
Lieferung
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
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IRFR3806PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 43A DPAK
AONR66922Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN
RFD12N06RLEonsemiMOSFET N-CH 60V 18A IPAK
RDR-S-AC200VOmron Electronic Components
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN
SUD50P08-25L-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 80V 50A TO252
2SJ328-Z-E1-AZRenesas2SJ328 - SWITCHING P-CHANNEL POW
IRFI640GPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
RDR005N25LAPIS Technology
DMN2501UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3