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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRE1C001UNTCL
Rohm Semiconductor
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RE1C001UNTCL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RE1C001UNTCL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RE1C001UNTCL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 100MA EMT3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-89, SOT-490
Datenblatt
DTA114EEFRA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 388800

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Spezifikation

RE1C001UNTCL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RE1C001UNTCL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RE1C001UNTCL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse EMT3F (SOT-416FL)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 150mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-89, SOT-490  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7.1 pF @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA (Ta)  
Grundproduktnummer RE1C001  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RE1C001UNTCL.

Produkteigenschaften RE1C001UNTCL RE1C001ZPTL RE1C002ZPTL RE1C002UNTCL
Artikelnummer RE1C001UNTCL RE1C001ZPTL RE1C002ZPTL RE1C002UNTCL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Verpackung / Gehäuse SC-89, SOT-490 SC-89, SOT-490 SC-89, SOT-490 SC-89, SOT-490
Supplier Device-Gehäuse EMT3F (SOT-416FL) EMT3F (SOT-416FL) EMT3F (SOT-416FL) EMT3F (SOT-416FL)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V 4.5V 1.2V, 2.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7.1 pF @ 10 V 15 pF @ 10 V 115 pF @ 10 V 25 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA 1V @ 100µA 1V @ 100µA 1V @ 1mA
Verlustleistung (max) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 150mW (Ta)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA (Ta) 100mA (Ta) 200mA (Ta) 200mA (Ta)
Vgs (Max) ±8V ±10V ±10V ±8V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Grundproduktnummer RE1C001 RE1C001 RE1C002 RE1C002

RE1C001UNTCL Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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