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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRE1C002ZPTL
Rohm Semiconductor
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RE1C002ZPTL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RE1C002ZPTL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RE1C002ZPTL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-89, SOT-490
Datenblatt
DTA114EEFRA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 554150

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Spezifikation

RE1C002ZPTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RE1C002ZPTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RE1C002ZPTL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse EMT3F (SOT-416FL)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 150mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-89, SOT-490  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 115 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta)  
Grundproduktnummer RE1C002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RE1C002ZPTL.

Produkteigenschaften RE1C002ZPTL RE1C001UNTCL RE1C002UNTCL RE1E002SPTCL
Artikelnummer RE1C002ZPTL RE1C001UNTCL RE1C002UNTCL RE1E002SPTCL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V 1.2V, 4.5V 1.2V, 2.5V 4V, 10V
Grundproduktnummer RE1C002 RE1C001 RE1C002 RE1E002
Supplier Device-Gehäuse EMT3F (SOT-416FL) EMT3F (SOT-416FL) EMT3F (SOT-416FL) EMT3F (SOT-416FL)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 150mW (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 115 pF @ 10 V 7.1 pF @ 10 V 25 pF @ 10 V 30 pF @ 10 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 30 V
Serie - - - -
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA 1V @ 100µA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (Max) ±10V ±8V ±8V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 4.5 V - - -
Verpackung / Gehäuse SC-89, SOT-490 SC-89, SOT-490 SC-89, SOT-490 SC-89, SOT-490
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta) 100mA (Ta) 200mA (Ta) 250mA (Ta)

RE1C002ZPTL Datenblatt PDF

Laden Sie RE1C002ZPTL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RE1C002ZPTL - Rohm Semiconductor herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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