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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRF4C050APTR
Rohm Semiconductor
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RF4C050APTR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RF4C050APTR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RF4C050APTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerUDFN
Datenblatt
RF4C050APTR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 144200

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Spezifikation

RF4C050APTR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RF4C050APTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RF4C050APTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) -8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse HUML2020L8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerUDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta)  
Grundproduktnummer RF4C050  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RF4C050APTR.

Produkteigenschaften RF4C050APTR RF4E075ATTCR RF4C100BCTCR RF4E080BNTR
Artikelnummer RF4C050APTR RF4E075ATTCR RF4C100BCTCR RF4E080BNTR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Verlustleistung (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Vgs (Max) -8V ±20V ±8V ±20V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerUDFN 8-PowerUDFN 8-PowerUDFN 8-PowerUDFN
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse HUML2020L8 HUML2020L8 HUML2020L8 HUML2020L8
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Grundproduktnummer RF4C050 RF4E075 RF4C100 RF4E080
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta) 7.5A (Ta) 10A (Ta) 8A (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 4.5 V 22 nC @ 10 V 23.5 nC @ 4.5 V 14.5 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1.2V @ 1mA 2V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 10 V 1000 pF @ 15 V 1660 pF @ 10 V 660 pF @ 15 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 20 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 5A, 4.5V 21.7mOhm @ 7.5A, 10V 15.6mOhm @ 10A, 4.5V 17.6mOhm @ 8A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -

RF4C050APTR Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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