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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRF4E075ATTCR
Rohm Semiconductor
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RF4E075ATTCR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RF4E075ATTCR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RF4E075ATTCR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerUDFN
Datenblatt
RF4E075ATTCR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 139700

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Spezifikation

RF4E075ATTCR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RF4E075ATTCR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RF4E075ATTCR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse HUML2020L8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.7mOhm @ 7.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerUDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Ta)  
Grundproduktnummer RF4E075  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RF4E075ATTCR.

Produkteigenschaften RF4E075ATTCR RF4C100BCTCR RF4E110BNTR RF4E080BNTR
Artikelnummer RF4E075ATTCR RF4C100BCTCR RF4E110BNTR RF4E080BNTR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.7mOhm @ 7.5A, 10V 15.6mOhm @ 10A, 4.5V 11.1mOhm @ 11A, 10V 17.6mOhm @ 8A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 15 V 1660 pF @ 10 V 1200 pF @ 15 V 660 pF @ 15 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 30 V 30 V
Verlustleistung (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 23.5 nC @ 4.5 V 24 nC @ 10 V 14.5 nC @ 10 V
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse HUML2020L8 HUML2020L8 HUML2020L8 HUML2020L8
Grundproduktnummer RF4E075 RF4C100 RF4E110 RF4E080
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-PowerUDFN 8-PowerUDFN 8-PowerUDFN 8-PowerUDFN
Vgs (Max) ±20V ±8V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Ta) 10A (Ta) 11A (Ta) 8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 1.2V @ 1mA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

RF4E075ATTCR Datenblatt PDF

Laden Sie RF4E075ATTCR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RF4E075ATTCR - Rohm Semiconductor herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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