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Zuhause Produkte Diskrete Halbleiter-Produkte Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel~~RHK003N06FRAT146~~

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RHK003N06FRAT146 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer: RHK003N06FRAT146

Hersteller: LAPIS Technology

Allelco Artikelnummer: 32D-RHK003N06FRAT146

ECAD -Modell

Teile Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3

detaillierte Beschreibung

Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Datenblatt: ~~RHK003N06FRAT146.pdf~~

RoHS Status

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vorrätig: 250080

Spezifikation

RHK003N06FRAT146 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RHK003N06FRAT146 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RHK003N06FRAT146

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	LAPIS Technology
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SMT3
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 300mA, 10V
Verlustleistung (max)	200mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	33 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	300mA (Ta)
Grundproduktnummer	RHK003

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RHK003N06FRAT146.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	RHK003N06FRAT146	RHK005N03T146	RHK003N06T146	IRFB4410ZPBF
Hersteller	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	300mA (Ta)	500mA (Ta)	300mA (Ta)	97A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	2.5V @ 1mA	2.5V @ 1mA	4V @ 150µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	33 pF @ 10 V	45 pF @ 10 V	33 pF @ 10 V	4820 pF @ 50 V
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-220-3
Vgs (Max)	±20V	±20V	±20V	±20V
Verlustleistung (max)	200mW (Ta)	200mW (Ta)	200mW (Ta)	230W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse	SMT3	SMT3	SMT3	TO-220AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	4V, 10V	4V, 10V	10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Through Hole
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V	30 V	60 V	100 V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	150°C (TJ)	150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6 nC @ 10 V	-	6 nC @ 10 V	120 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 300mA, 10V	550mOhm @ 500mA, 10V	1Ohm @ 300mA, 10V	9mOhm @ 58A, 10V
Grundproduktnummer	RHK003	RHK005	RHK003	IRFB4410
FET-Merkmal	-	-	-	-
Serie	-	-	-	HEXFET®

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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