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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTL2N450
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTL2N450 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTL2N450
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTL2N450
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
ISOPLUSi5-Pak™
Datenblatt
IXTL2N450.pdf
RoHS Status
vorrätig: 251

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Anzahl

Spezifikation

IXTL2N450 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTL2N450 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTL2N450

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 6V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUSi5-Pak™  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23Ohm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 220W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse ISOPLUSi5-Pak™  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 156 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 4500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTL2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTL2N450.

Produkteigenschaften IXTL2N450 IXTN21N100 IXTN170P10P IXTK75N30
Artikelnummer IXTL2N450 IXTN21N100 IXTN170P10P IXTK75N30
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V 12600 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUSi5-Pak™ SOT-227B SOT-227B TO-264 (IXTK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 156 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 6V @ 250µA 4.5V @ 500µA 4V @ 1mA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse ISOPLUSi5-Pak™ SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA
Serie - MegaMOS™ Polar MegaMOS™
Befestigungsart Through Hole Chassis Mount Chassis Mount Through Hole
Grundproduktnummer IXTL2 IXTN21 IXTN170 IXTK75
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 220W (Tc) 520W (Tc) 890W (Tc) 540W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc) 21A (Tc) 170A (Tc) 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23Ohm @ 1A, 10V 550mOhm @ 500mA, 10V 12mOhm @ 500mA, 10V 42mOhm @ 500mA, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 4500 V 1000 V 100 V 300 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IXTL2N450 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTL2N450 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTL2N450 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTL2N450.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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