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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRJU002N06T106
Rohm Semiconductor
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RJU002N06T106 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RJU002N06T106
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RJU002N06T106
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
RJU002N06 Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 238200

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Spezifikation

RJU002N06T106 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RJU002N06T106 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RJU002N06T106

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse UMT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 200mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18 pF @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta)  
Grundproduktnummer RJU002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RJU002N06T106.

Produkteigenschaften RJU002N06T106 RJU003N03T106 RJU002N06FRAT106 RJU6053TDPP
Artikelnummer RJU002N06T106 RJU003N03T106 RJU002N06FRAT106 RJU6053TDPP
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Renesas Electronics Corporation
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V -
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Verlustleistung (max) 200mW (Ta) 200mW (Ta) 200mW (Ta) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Supplier Device-Gehäuse UMT3 UMT3 UMT3 -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V -
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA -
Grundproduktnummer RJU002 RJU003 RJU002 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 30 V 60 V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18 pF @ 10 V 24 pF @ 10 V 18 pF @ 10 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V -
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta) 300mA (Ta) 200mA (Ta) -
FET-Merkmal - - - -

RJU002N06T106 Datenblatt PDF

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Datenblätter
RJU002N06 Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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