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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRJU003N03T106
Rohm Semiconductor
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RJU003N03T106 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RJU003N03T106
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RJU003N03T106
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
RJU003N03.pdf
RoHS Status
vorrätig: 428070

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Spezifikation

RJU003N03T106 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RJU003N03T106 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RJU003N03T106

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse UMT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 200mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 24 pF @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 300mA (Ta)  
Grundproduktnummer RJU003  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RJU003N03T106.

Produkteigenschaften RJU003N03T106 RJU002N06T106 RJU6053TDPP RJU003N03T106 MOS
Artikelnummer RJU003N03T106 RJU002N06T106 RJU6053TDPP RJU003N03T106 MOS
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Renesas Electronics Corporation LAPIS Technology
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 24 pF @ 10 V 18 pF @ 10 V - -
Grundproduktnummer RJU003 RJU002 - -
Verlustleistung (max) 200mW (Ta) 200mW (Ta) - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 300mA (Ta) 200mA (Ta) - -
Vgs (Max) ±12V ±12V - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse UMT3 UMT3 - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 60 V - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V - -

RJU003N03T106 Datenblatt PDF

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Datenblätter
RJU003N03.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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