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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRRS075P03TB1
RRS075P03TB1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

RRS075P03TB1 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RRS075P03TB1
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RRS075P03TB1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
RRS075P03TB1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4880

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Anzahl

Spezifikation

RRS075P03TB1 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RRS075P03TB1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RRS075P03TB1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Surface Mount  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RRS075P03TB1.

Produkteigenschaften RRS075P03TB1 STW56N65M2 IRFB4510PBF LP0701N3-G
Artikelnummer RRS075P03TB1 STW56N65M2 IRFB4510PBF LP0701N3-G
Hersteller Rohm Semiconductor STMicroelectronics Infineon Technologies Microchip Technology
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Bag
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Ta) 49A (Tc) 62A (Tc) 500mA (Tj)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur - 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC TO-247-3 TO-220AB TO-92
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Serie - MDmesh™ M2 HEXFET® -
VGS (th) (Max) @ Id - 4V @ 250µA 4V @ 100µA 1V @ 1mA
Verlustleistung (max) - 358W (Tc) 140W (Tc) 1W (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-247-3 TO-220-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 62mOhm @ 24.5A, 10V 13.5mOhm @ 37A, 10V 1.5Ohm @ 300mA, 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 650 V 100 V 16.5 V

RRS075P03TB1 Datenblatt PDF

Laden Sie RRS075P03TB1 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RRS075P03TB1 - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 26/Jan/2020.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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RRS075P03TB1

Rohm Semiconductor
32D-RRS075P03TB1

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