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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRSD140P06TL
RSD140P06TL Image
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RSD140P06TL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RSD140P06TL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RSD140P06TL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
RSD140P06TL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4100

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Anzahl

Spezifikation

RSD140P06TL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RSD140P06TL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RSD140P06TL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse CPT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 20W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta)  
Grundproduktnummer RSD140  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RSD140P06TL.

Produkteigenschaften RSD140P06TL RSD150N06TL RSD200N05TL RSD131P10TL
Artikelnummer RSD140P06TL RSD150N06TL RSD200N05TL RSD131P10TL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 12 nC @ 5 V 40 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 45 V 100 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V 930 pF @ 10 V 950 pF @ 10 V 2400 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta) 15A (Ta) 20A (Ta) 13A (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Verlustleistung (max) 20W (Tc) 20W (Tc) 20W (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Grundproduktnummer RSD140 RSD150 RSD200 RSD131
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 14A, 10V 40mOhm @ 15A, 10V 28mOhm @ 20A, 10V 200mOhm @ 6.5A, 10V
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse CPT3 CPT3 CPT3 CPT3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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