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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRSD150N06TL
RSD150N06TL Image
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RSD150N06TL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RSD150N06TL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RSD150N06TL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 15A CPT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
RSD150N06TL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 52810

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Spezifikation

RSD150N06TL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RSD150N06TL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RSD150N06TL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse CPT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 20W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta)  
Grundproduktnummer RSD150  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RSD150N06TL.

Produkteigenschaften RSD150N06TL RSD175N10TL RSD200N05TL RSD131P10TL
Artikelnummer RSD150N06TL RSD175N10TL RSD200N05TL RSD131P10TL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer RSD150 RSD175 RSD200 RSD131
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 15A, 10V 105mOhm @ 8.8A, 10V 28mOhm @ 20A, 10V 200mOhm @ 6.5A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 10 V 950 pF @ 25 V 950 pF @ 10 V 2400 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 20W (Tc) 20W (Tc) 20W (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 45 V 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta) 17.5A (Ta) 20A (Ta) 13A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse CPT3 CPT3 CPT3 CPT3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 12 nC @ 5 V 40 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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