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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRSF010P03TL
Rohm Semiconductor
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RSF010P03TL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RSF010P03TL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RSF010P03TL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-SMD, Flat Leads
Datenblatt
RSF010P03 Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 65070

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Spezifikation

RSF010P03TL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RSF010P03TL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RSF010P03TL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TUMT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 800mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 3-SMD, Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 120 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.9 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Ta)  
Grundproduktnummer RSF010  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RSF010P03TL.

Produkteigenschaften RSF010P03TL IXUN280N10 RSF015N06TL STW26NM60
Artikelnummer RSF010P03TL IXUN280N10 RSF015N06TL STW26NM60
Hersteller Rohm Semiconductor IXYS Rohm Semiconductor STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.9 nC @ 5 V 440 nC @ 10 V 2 nC @ 5 V 102 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Ta) 280A (Tc) 1.5A (Ta) 30A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Serie - - - MDmesh™
Grundproduktnummer RSF010 IXUN280 RSF015 STW26N
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 100 V 60 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse TUMT3 SOT-227B TUMT3 TO-247-3
Verlustleistung (max) 800mW (Ta) 770W (Tc) 800mW (Ta) 313W (Tc)
Verpackung / Gehäuse 3-SMD, Flat Leads SOT-227-4, miniBLOC 3-SMD, Flat Leads TO-247-3
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 1A, 10V 5mOhm @ 140A, 10V 290mOhm @ 1.5A, 10V 135mOhm @ 13A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 120 pF @ 10 V 18000 pF @ 25 V 110 pF @ 10 V 2900 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 10V 4V, 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Chassis Mount Surface Mount Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id - 4V @ 4mA 2.5V @ 1mA 5V @ 250µA

RSF010P03TL Datenblatt PDF

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Datenblätter
RSF010P03 Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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