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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXUN280N10
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXUN280N10 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXUN280N10
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXUN280N10
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXUN280N10.pdf
vorrätig: 3670

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Spezifikation

IXUN280N10 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXUN280N10 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXUN280N10

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 140A, 10V  
Verlustleistung (max) 770W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 440 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 280A (Tc)  
Grundproduktnummer IXUN280  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXUN280N10.

Produkteigenschaften IXUN280N10 IRFR9214 IXUC100N055 IRF7521D1TRPBF
Artikelnummer IXUN280N10 IRFR9214 IXUC100N055 IRF7521D1TRPBF
Hersteller IXYS Vishay Siliconix IXYS Infineon Technologies
Befestigungsart Chassis Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 140A, 10V 3Ohm @ 1.7A, 10V 7.7mOhm @ 80A, 10V 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 250 V 55 V 20 V
Verlustleistung (max) 770W (Tc) 50W (Tc) 150W (Tc) 1.3W (Ta)
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B D-Pak ISOPLUS220™ Micro8™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±12V
Grundproduktnummer IXUN280 IRFR9214 IXUC100 -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18000 pF @ 25 V 220 pF @ 25 V - 260 pF @ 15 V
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - Schottky Diode (Isolated)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 280A (Tc) 2.7A (Tc) 100A (Tc) 2.4A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 440 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 8 nC @ 4.5 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 4V @ 250µA 4V @ 1mA 700mV @ 250µA (Min)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 2.7V, 4.5V
Serie - - - FETKY™
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 ISOPLUS220™ 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

IXUN280N10 Datenblatt PDF

Laden Sie IXUN280N10 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXUN280N10 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXUN280N10.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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