Spezifikation
RUF025N02TL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RUF025N02TL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RUF025N02TL
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
LAPIS Technology |
|
| VGS (th) (Max) @ Id |
1.3V @ 1mA |
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| Vgs (Max) |
±10V |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
TUMT3 |
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| Serie |
- |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
54mOhm @ 2.5A, 4.5V |
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| Verlustleistung (max) |
320mW (Ta) |
|
| Verpackung / Gehäuse |
3-SMD, Flat Leads |
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| Paket |
Tape & Reel (TR) |
|
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
370 pF @ 10 V |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
5 nC @ 4.5 V |
|
| Typ FET |
N-Channel |
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| FET-Merkmal |
- |
|
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
1.5V, 4.5V |
|
| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
20 V |
|
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
2.5A (Ta) |
|
| Grundproduktnummer |
RUF025 |
|
Lieferung
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
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BUK9M52-40EXNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 40V 17.6A LFPAK33
AO4409Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC
IPI052NE7N3GInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
FDB52N20TMFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
SIHB24N65ET1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 24A TO263