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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRV3C002UNT2CL
Rohm Semiconductor
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RV3C002UNT2CL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RV3C002UNT2CL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RV3C002UNT2CL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-XFDFN
Datenblatt
RV3C002UNT2CL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 206830

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Anzahl

Spezifikation

RV3C002UNT2CL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RV3C002UNT2CL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RV3C002UNT2CL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse VML0604  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 150mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 100mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12 pF @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 150mA (Ta)  
Grundproduktnummer RV3C002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RV3C002UNT2CL.

Produkteigenschaften RV3C002UNT2CL BSZ049N03LSCGATMA1 IRF7233TRPBF BSO080P03NS3G
Artikelnummer RV3C002UNT2CL BSZ049N03LSCGATMA1 IRF7233TRPBF BSO080P03NS3G
Hersteller Rohm Semiconductor Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 100mW (Ta) - 2.5W (Ta) 1.6W (Ta)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 150mA (Ta) - 9.5A (Ta) 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 150mA, 4.5V - 20mOhm @ 9.5A, 4.5V 8mOhm @ 14.8A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V - 2.5V, 4.5V 6V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12 pF @ 10 V - 6000 pF @ 10 V 6750 pF @ 15 V
Grundproduktnummer RV3C002 - - -
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse VML0604 - 8-SO PG-DSO-8
Typ FET N-Channel - P-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA - 600mV @ 250µA (Min) 3.1V @ 150µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - * HEXFET® OptiMOS™ 3
Vgs (Max) ±10V - ±12V ±25V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V - 12 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk

RV3C002UNT2CL Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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