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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRV3CA01ZPT2CL
Rohm Semiconductor
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RV3CA01ZPT2CL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RV3CA01ZPT2CL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RV3CA01ZPT2CL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 100MA VML0604
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-XFDFN
Datenblatt
RV3CA01ZPT2CL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 246560

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Anzahl

Spezifikation

RV3CA01ZPT2CL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RV3CA01ZPT2CL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RV3CA01ZPT2CL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse VML0604  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 100mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7.5 pF @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA (Ta)  
Grundproduktnummer RV3CA01  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RV3CA01ZPT2CL.

Produkteigenschaften RV3CA01ZPT2CL SIHF28N60EF-GE3 APT12067JLL APT20M11JVR
Artikelnummer RV3CA01ZPT2CL SIHF28N60EF-GE3 APT12067JLL APT20M11JVR
Hersteller Rohm Semiconductor Vishay Siliconix Microsemi Corporation Microchip Technology
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7.5 pF @ 10 V 2714 pF @ 100 V 6200 pF @ 25 V 21600 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN TO-220-3 Full Pack SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V 123mOhm @ 14A, 10V 570mOhm @ 10A, 10V 11mOhm @ 500mA, 10V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 600 V 1200 V 200 V
Serie - - POWER MOS 7® POWER MOS V®
Verlustleistung (max) 100mW (Ta) 39W (Tc) 460W (Tc) 700W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 2.5mA 4V @ 5mA
Grundproduktnummer RV3CA01 SIHF28 APT12067 APT20M11
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse VML0604 TO-220 Full Pack SOT-227 ISOTOP®
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±10V ±30V ±30V ±30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA (Ta) 28A (Tc) 17A (Tc) 175A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 10V 10V 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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