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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRYE002N05TCL
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

RYE002N05TCL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RYE002N05TCL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RYE002N05TCL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
RYE002N05TCL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5250

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Spezifikation

RYE002N05TCL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RYE002N05TCL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RYE002N05TCL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 800mV @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse EMT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 150mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 26 pF @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0.9V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta)  
Grundproduktnummer RYE002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RYE002N05TCL.

Produkteigenschaften RYE002N05TCL IRF7809A IRFB13N50APBF FDP20AN06A0
Artikelnummer RYE002N05TCL IRF7809A IRFB13N50APBF FDP20AN06A0
Hersteller Rohm Semiconductor Infineon Technologies Vishay Siliconix onsemi
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 TO-220-3
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 26 pF @ 10 V 7300 pF @ 16 V 1910 pF @ 25 V 950 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±8V ±12V ±30V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Grundproduktnummer RYE002 - IRFB13 FDP20
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta) 14.5A (Ta) 14A (Tc) 9A (Ta), 45A (Tc)
Verlustleistung (max) 150mW (Ta) 2.5W (Ta) 250W (Tc) 90W (Tc)
Serie - HEXFET® - PowerTrench®
VGS (th) (Max) @ Id 800mV @ 1mA 1V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 8.5mOhm @ 15A, 4.5V 450mOhm @ 8.4A, 10V 20mOhm @ 45A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0.9V, 4.5V 4.5V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse EMT3 8-SO TO-220AB TO-220-3
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V 30 V 500 V 60 V

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Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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