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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSH8M24TB1
SH8M24TB1 Image
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SH8M24TB1 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SH8M24TB1
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-SH8M24TB1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SH8M24TB1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 36720

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Anzahl

Spezifikation

SH8M24TB1 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - SH8M24TB1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - SH8M24TB1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4.5A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 45V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A, 3.5A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer SH8M24  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor SH8M24TB1.

Produkteigenschaften SH8M24TB1 SH8M2TB1 SH8M41GZETB SH8M4TB1
Artikelnummer SH8M24TB1 SH8M2TB1 SH8M41GZETB SH8M4TB1
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Drain-Source-Spannung (Vdss) 45V 30V 80V 30V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundproduktnummer SH8M24 SH8M2 SH8M41 SH8M4
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V 140pF @ 10V 600pF @ 10V 1190pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 5V 3.5nC @ 5V 9.2nC @ 5V 15nC @ 5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4.5A, 10V 83mOhm @ 3.5A, 10V 130mOhm @ 3.4A, 10V 18mOhm @ 9A, 10V
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A, 3.5A 3.5A 3.4A, 2.6A 9A, 7A
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Leistung - max 2W 2W 2W 2W
Serie - - - -
FET-Merkmal - - Logic Level Gate, 4V Drive Logic Level Gate

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Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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SH8M24TB1

Rohm Semiconductor
32D-SH8M24TB1

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