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SH8M41GZETB Image
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SH8M41GZETB - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SH8M41GZETB
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-SH8M41GZETB
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SH8M41GZETB.pdf
RoHS Status
vorrätig: 43430

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Anzahl

Spezifikation

SH8M41GZETB Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - SH8M41GZETB Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - SH8M41GZETB

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3.4A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 4V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.4A, 2.6A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer SH8M41  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor SH8M41GZETB.

Produkteigenschaften SH8M41GZETB SH8M2TB1 SH8M14TB1 SH8M3TB1
Artikelnummer SH8M41GZETB SH8M2TB1 SH8M14TB1 SH8M3TB1
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Grundproduktnummer SH8M41 SH8M2 SH8M14 SH8M3
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal Logic Level Gate, 4V Drive - Logic Level Gate Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2nC @ 5V 3.5nC @ 5V 8.5nC @ 5V 3.9nC @ 5V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3.4A, 10V 83mOhm @ 3.5A, 10V 21mOhm @ 9A, 10V 51mOhm @ 5A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V 140pF @ 10V 630pF @ 10V 230pF @ 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.4A, 2.6A 3.5A 9A, 7A 5A, 4.5A
Leistung - max 2W 2W 2W 2W
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V 30V 30V 30V
Serie - - - -

SH8M41GZETB Datenblatt PDF

Laden Sie SH8M41GZETB PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für SH8M41GZETB - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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