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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSP8K2TB
SP8K2TB Image
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SP8K2TB - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SP8K2TB
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-SP8K2TB
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SP8K2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 79990

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Anzahl

Spezifikation

SP8K2TB Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - SP8K2TB Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - SP8K2TB

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SP8K2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor SP8K2TB.

Produkteigenschaften SP8K2TB SP8K31TB1 SP8K2FU6TB SP8K22FU6TB
Artikelnummer SP8K2TB SP8K31TB1 SP8K2FU6TB SP8K22FU6TB
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Serie - - - -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer SP8K2 SP8K31 SP8K2 SP8K22
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V 250pF @ 10V 520pF @ 10V 550pF @ 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A 3.5A 6A 4.5A
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Leistung - max 2W 2W 2W 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1nC @ 5V 5.2nC @ 5V 10.1nC @ 5V 9.6nC @ 5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V 120mOhm @ 3.5A, 10V 30mOhm @ 6A, 10V 46mOhm @ 4.5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 60V 30V 45V

SP8K2TB Datenblatt PDF

Laden Sie SP8K2TB PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für SP8K2TB - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
SP8K2.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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