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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSP8K31TB1
SP8K31TB1 Image
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SP8K31TB1 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SP8K31TB1
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-SP8K31TB1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SP8K31.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4950

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Anzahl

Spezifikation

SP8K31TB1 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - SP8K31TB1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - SP8K31TB1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3.5A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SP8K31  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor SP8K31TB1.

Produkteigenschaften SP8K31TB1 SP8K32TB1 SP8K2TB SP8K31FRATB
Artikelnummer SP8K31TB1 SP8K32TB1 SP8K2TB SP8K31FRATB
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V 500pF @ 10V 520pF @ 10V 250pF @ 10V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Grundproduktnummer SP8K31 SP8K32 SP8K2 SP8K31
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ) 150°C
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3.5A, 10V 65mOhm @ 4.5A, 10V 30mOhm @ 6A, 10V 120mOhm @ 3.5A, 10V
Leistung - max 2W 2W (Ta) 2W 2W
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 30V 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V 10nC @ 5V 10.1nC @ 5V 5.2nC @ 5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A 4.5A (Ta) 6A 3.5A (Ta)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate, 4V Drive Logic Level Gate -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP

SP8K31TB1 Datenblatt PDF

Laden Sie SP8K31TB1 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für SP8K31TB1 - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 26/Jan/2020.pdf
Datenblätter
SP8K31.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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