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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedUMB1NTN
Rohm Semiconductor
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UMB1NTN - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
UMB1NTN
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-UMB1NTN
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
UMA1N/B1N, FMA1A, IMB1A/5A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 357500

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Anzahl

Spezifikation

UMB1NTN Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - UMB1NTN Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - UMB1NTN

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse UMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 22kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer UMB1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor UMB1NTN.

Produkteigenschaften UMB1NTN UMB11NTN UMB3NTN UMB2NTN
Artikelnummer UMB1NTN UMB11NTN UMB3NTN UMB2NTN
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22kOhms 10kOhms - 47kOhms
Supplier Device-Gehäuse UMT6 UMT6 UMT6 UMT6
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 5mA, 5V 20 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 68 @ 5mA, 5V
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Grundproduktnummer UMB1 UMB11 UMB3 UMB2
Serie - - - -
Leistung - max 150mW 150mW 150mW 150mW
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA (ICBO) 500nA
Frequenz - Übergang - 250MHz 250MHz 250MHz
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Widerstand - Basis (R1) 22kOhms 10kOhms 4.7kOhms 47kOhms
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA

UMB1NTN Datenblatt PDF

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Datenblätter
UMA1N/B1N, FMA1A, IMB1A/5A.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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