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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedUMB3NTN
Rohm Semiconductor
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UMB3NTN - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
UMB3NTN
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-UMB3NTN
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
UMB3NTN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 405550

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Anzahl

Spezifikation

UMB3NTN Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - UMB3NTN Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - UMB3NTN

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse UMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) -  
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer UMB3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor UMB3NTN.

Produkteigenschaften UMB3NTN UMB6NTR UMB2NTN UMB8NTR
Artikelnummer UMB3NTN UMB6NTR UMB2NTN UMB8NTR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Grundproduktnummer UMB3 UMB6 UMB2 UMB8
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms 47kOhms 47kOhms 10kOhms
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V 68 @ 5mA, 5V 68 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device-Gehäuse UMT6 UMT6 UMT6 UMT6
Leistung - max 150mW 150mW 150mW 150mW
Widerstand - Emitterbasis (R2) - 47kOhms 47kOhms -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO) 500nA 500nA -
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 30mA 100mA 100mA
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz 250MHz 250MHz

UMB3NTN Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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