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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedUMH10NTN
Rohm Semiconductor
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UMH10NTN - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
UMH10NTN
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-UMH10NTN
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
UMH10NTN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 364110

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Anzahl

Spezifikation

UMH10NTN Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - UMH10NTN Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - UMH10NTN

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse UMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer UMH10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor UMH10NTN.

Produkteigenschaften UMH10NTN UMH10NFHATN UMH11N UMH11N-TP
Artikelnummer UMH10NTN UMH10NFHATN UMH11N UMH11N-TP
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Yangjie Technology Micro Commercial Co
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V 30 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms 47kOhms - 10kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz 250MHz 250MHz
Widerstand - Basis (R1) 2.2kOhms 2.2kOhms 10kOhms 10kOhms
Grundproduktnummer UMH10 UMH10 UMH11 UMH11
Serie - Automotive, AEC-Q101 - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 50mA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device-Gehäuse UMT6 UMT6 SOT-363 SOT-363
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Leistung - max 150mW 150mW 150mW 150mW
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

UMH10NTN Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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